再突破！天成半导体成功研发12英寸N型碳化硅单晶材料
2025年第二季度，山西天成半导体材料有限公司成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅单晶材料......
高质量碳化硅衬底
生产及相关生长装备制造
山西天成半导体材料有限公司成立于2021年8月，由多位碳化硅（SiC）领域博士及具有头部生产企业任职经历的业内一线人员发起，是一家专注于第三代半导体碳化硅（SiC）衬底材料研发、生产及晶体生长装备制造的高新技术企业。2023年，荣获“第三代半导体年度新锐企业”。...
山西天成半导体材料有限公司主要从事高质量碳化硅衬底生产及相关生长装备制造。
PRODUCT
SERVICE
产品与服务
PRODUCT &
SERVICE
产品与服务
导电型SiC单晶材料
半绝缘型SiC单晶材料
SiC单晶生产装备
SiC单晶生产耗材
产品展示
INDUSTRIAL CHAIN
碳化硅衬底产业链
GROWTH PROCESS
碳化硅生长工艺
碳化硅晶片是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT） 生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片。
1.
原料合成
2.
晶体生长
3.
晶锭加工
4.
晶体切割
5.
晶体研磨
6.
晶体抛光
7.
晶片检测
8.
晶片清洗
查看详细工艺
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